在摩尔定律的驱动下，集成电路技术不断发展，芯片的工艺节点已进入10纳米时代。随着高k/金属栅、鳍式晶体管FinFET等各种先进制造技术的引入，半导体器件正饱受自热效应和快态缺陷的困扰，这不仅会影响半导体器件的性能，也会对器件及电路的可靠性有重要影响，因此在研发中需要重点关注。

        目前，芯片的时钟频率早已超过GHz，即其中逻辑器件的开关速度和存储器件的数据存取速度都已小于1纳秒，亟需亚纳秒级的电学测试手段测得更符合实际电路工作状态的参数测量结果，进行精准的器件建模，发布工艺设计套件。另一方面，半导体器件在实际电路GHz高频交流应力下工作时的可靠性行为与直流应力下有较大区别，也亟需超快速半导体测试系统模拟实际电路工作环境的高频应力，准确评估可靠性退化，建立准确的可靠性退化模型，获得更大的电路设计窗口。

        力德团队潜心多年，同时与高校和研究所团队常年合作，专注于超快速电学测试技术与系统研发，基于该系统已发表相关研究论文数十篇，获得了国内外同行的高度认可。目前，力德已开发出国际上首个超快速半导体参数分析仪，旨在为先进工艺技术提供更准确、更符合实际电路工作状态的电学测量结果，为先进集成电路技术的研发提供支持。同时，该系统还适用于其他对超快速测试有需求的新型逻辑和存储器件。